招標編號: | PLAN-2016-023001-000006 |
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加入日期: | 2016.04.22 |
招標業主: | 深圳大學 |
地 區: | 深圳市 |
關鍵詞: | 大學 平臺 |
項目名稱 |
深能級瞬態譜儀 | 是否預選項目 |
否 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
采購人名稱 |
深圳大學 | 采購方式 |
非協議采購 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
財政預算限額(元) |
2100000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
項目背景 |
深能級瞬態譜儀項目是( 高水平大學 )
設備主要用途是:深能級雜質產生的施主能級距離導帶底較遠,受主能級距離價帶頂較遠。深能級雜質可多次電離,在禁帶中引入多個能級,有些既能引入施主能級又能引入受主能級。相對淺能級而言,深能級對載流子的貢獻較小,但對非平衡載流子的符合作用很強。由某些微量雜質(如硼、鋁、銅等)形成的等電子雜質與基材電負性的差異,能俘獲載流子,成為帶電中心,形成等電子陷阱,造成點缺陷(空位)、線缺陷(位錯)、面缺陷(層錯)。缺陷可產生附加勢場,改變晶體晶格原有勢場,使電子或空穴束縛在缺陷周圍,產生局域化的電子態,從而在禁帶中引入相應的缺陷能級。銅、鎳、鈹、鋅、鋁等雜質以及其他晶格缺陷, 在禁帶中引入深能級, 它們起復合中心的作用, 嚴重影響到探測器的分辨率, 尤以銅、鋁的影響最大。氫、碳、硅等中性雜質及其絡合物也是一些俘獲中心,必須降低其含量。深能級瞬態譜儀可以為解決這些難題提供關鍵的技術支撐。 該設備項目預算為210萬元。 |
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投標人資質要求 |
投標人”系指響應采購文件要求、參加本次招標采購的供應商。 (1) 投標人必須是來自中華人民共和國或是與中華人民共和國有正常貿易往來的國家或地區(以下簡稱“合格來源國/地區”)的法人或其他組織,在法律上和財務上獨立、合法運作并獨立于招標人和招標機構,具有相關經營范圍,有資格和能力提供本采購項目的貨物及服務的制造商或代理商(或經銷商)。須提供營業執照或企業注冊證明復印件(經營范圍必須涵蓋本次招標貨物,加蓋公章)。深圳大學是科教儀器設備減免稅單位,如果是境外供貨,投標人應有境外供貨與外幣結算資格或者是取得了境外供貨貿易商的投標授權。若投標人按照合同提供的貨物不是投標人自己制造的,投標人應得到貨物制造商同意其在本次投標中提供該貨物的正式授權書原件或是合法代理商(若投標人為合法代理商應出具有效代理證明掃描件,制造商除外)。(2)證明投標人已具備履行合同所需的財務、技術和生產能力的文件。(3)投標人須提供設備在國內的銷售業績表、合同復印件或中標通知書復印件(表中應列出設備的出廠日期、用戶名稱、地址、聯系人及聯系方式***
2)參與政府采購項目投標的供應商近三年內無行賄犯罪記錄(由采購中心定期向市人民檢察院申請對政府采購供應商庫中注冊有效的供應商進行集中查詢,投標文件中無需提供證明材料); |
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具體技術要求 |
1.采購貨物配置功能要求,各設備的主要技術參數、性能規格
技術指標:
1. 可提供的DLTS模式:
電容模式(C-DLTS) ,恒定電容模式(CC-DLTS),電流模式(I-DLTS),電荷模式(Q-DLTS),FET模式(FET DLTS,第二電壓源測試3端器件),瞬態差異模式(DD-DLTS),等溫瞬態譜(ITS,Isothermal Transient Spectroscopy),光致瞬態譜(PICS),俘獲面模式(Capture DLTS),拉普拉斯模式(Laplas DLTS),表面態分析模式(MIS-NSS DTLS, surface states density measurement),Zerbst 模式(MIS Zerbst DLTS, Minorier generation/lifetime measurement),C-V, I-V,C-t, I-t測試。
2. 評價模式:
2.1 配備28種耦合方式,包括傳統的Boxcar和Lock-in方式在內,只需要一次變溫過程,就可以得到28組數據曲線,并得到最多28個Arrhenius數據點
2.2 單個溫度點可設定多達18種不同測試參數序列(如偏壓,脈沖電壓,脈沖寬度,脈沖模式等),只需要一次變溫過程,即可得到不同參數不同關聯函數的測試曲線
2.3 傅里葉方式,直接時間常數評價
2.4 拉普拉斯評價,反向拉普拉斯變換,用于評價單個或多個瞬態譜中的時間常數
2.5 高能量解析模式,使用特殊數學公式對強overlapping溫度掃描或等溫信號進行分析.
3. 軟件功能:
3.1 C/V,I/V和C/t測試
1.淺能級摻雜濃度測試,2.勢壘高度,3.理想參數 (n- factor) (shottky 二極管),4.氧化物電容 (MIS 電容),5.Zerbst 分析 (MIS),6.單瞬態曲線分析,7.傅里葉變換,拉普拉斯變換, 多指數瞬態擬合分析,8.FET分析,參數設定I/V曲線,3D曲線
3.2 DLTS(溫度掃描測試)
1.常規測試參數設定補償,2.測試參數用戶可自定義并保存,3.直接調用用戶存儲的參數進行測試,4.同一個溫度掃描可執行8種不同測試任務,5.自動與手動模式Arrhenius 曲線分析,6.在溫度掃描測試當中,自動進行 I/V C/V 測量,7.缺陷濃度掃描,8.在每個溫度掃描中測試C(T)參數,9.能量曲線,10.使用DLTS 算法進行溫度掃描擬合,11.可使用24種不同耦合函數分析Arrhenius 曲線,12.可在DLTS溫度掃描前自動進行測試應用 CR(T) ,CP(T)或C/V(T) 數據修正Ns(T)
4. 硬件指標:
4.1 脈沖發生器:電壓范圍涵蓋±100 V (±0.3m V ) ;脈沖寬度涵蓋:1 µs - 1000 s
4.2 電容測量:高頻信號涵蓋1 MHz
4.3 電容補償范圍涵蓋 1pF- 3300pFF
4.4 HF頻率: 1MHz ;HF信號: 100mV
4.5 電容測試范圍[pF] 涵蓋: 2pF, 20pF,200pF,2000pF (手動或自動) ;電容測試靈敏度: ≤0.01 fF
4.6 電流放大器:最大測試電流可以達到15mA ;電流分辨率≤10 pA
4.7 數字瞬態記錄器:最大采樣可以達到: 64000 data points ;采樣間隔能滿足: 2 µs - 4s
4.8 可支持溫度范圍涵蓋:15K - 450K
4.9 電阻率與表面電阻測試范圍涵蓋:0.5mOhm.cm~1Mohm.cm , 5.0mOhm/sq~10.0Mohm/sq
4.10 電阻率與表面電阻測試重復性好于或等于±1.5% (CV值,典型值)
4.11 電阻率與表面電阻的77K樣品臺:適合晶棒樣品尺寸50cm*4”與20cm*4”及以上徑向測試
4.12 觀察待測試材料缺陷的金相顯微鏡:放大倍率≥1000X
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商務需求 |
備注:
1. “(一)免費保修期內售后服務要求”部分,請詳細列明免費保修期內的售后服務要求,內容包括但不限于免費保修期限、售后服務人員配備、技術培訓方案、質量保證、違約承諾、維修響應及故障解決時間、方案等。
2. “(二)免費保修期外售后服務要求”部分,請詳細列明免費保修期外的售后服務要求,內容包括但不限于零配件的優惠率、維修響應及故障解決時間、方案、提供的服務等。
3. “(三)其他商務要求”部分,如有補充,請詳細列明。 |
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技術規格偏離表 |
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商務規格偏離表 |
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評標信息 |
評標信息(設備類不含工程)
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其它 |
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附件 |