反應離子刻蝕機招標公告

項目編號：中大招（特）[2011]077號
項目名稱：中山大學理工學院反應離子刻蝕機采購項目

中山大學根據國家招投標法律法規和學校管理要求,擬以競爭性談判方式采購下列貨物及其相關服務。
一、 采購項目內容及數量：
反應離子刻蝕機 1套；
詳細技術參數及要求：見附件1（具體參數以采購文件為準）
二、 談判供應商的必備資格要求：
（政府采購協議供貨類產品，具備中央政府采購或廣東省政府采購協議供貨商資格或以下條件者）：
（一）具備條件的中華人民共和國的法人或其它組織, 注冊資金不低于100萬元人民幣。
（二）必須具有制造標的物或合法的供貨和相關項目及安裝售后服務的能力。
（三）從事相關行業經營的經驗不少于兩年整且無不良記錄。
（四）被有關部門責令停業、企業經營資格被取消、企業財產被查封和凍結或者處于破產狀態的，不充許參加本項目談判。
三、 供應商報名或資格預審必須提供的文件：企業法人營業執照副本原件和一份復印件（企業法人營業執照副本原件驗后歸還，復印件須加蓋公章以備存查）。
四、 獲取競爭性談判采購文件（或供應商報名及資格預審）的時間：2011年6月10日至2011年6月13日（節假日除外）的每天9：00至11：30，15：00至17：00。
五、 獲取競爭性談判采購文件的地點：中山大學招投標管理中心，地址：***
六、 競爭性談判采購電子文件售價：每套售價150元人民幣，以人民幣銀聯卡刷卡方式收取，售后不退。電子文件供瀏覽及打印，讀取如有問題，請供應商在其購買后的三個日歷天內更換。
七、 競爭性談判響應文件遞交時間及地點：競爭性談判書面紙質響應文件和電子文件請于2011年　6月23日上午8：30至9：00遞交至中山大學招投標管理中心（具體時間以招標文件為準）。
八、 競爭性談判響應文件遞交截止時間：2011年6月23日上午9：00止。逾期送達的競爭性談判響應文件為無效競爭性談判響應文件，恕不接受。
九、 競爭性談判時間及地點：2011年6月23日于中山大學招投標管理中心（談判供應商的法定代表人或其授權代表須按采購文件要求攜帶有效身份證明在規定時間參加競爭性談判會，逾期視為自動棄權）。

本采購項目聯系人：柯老師，莊老師　　聯系電話***
傳真：***

歡迎符合條件的供應商在談判響應截止時間前積極參加。
注：供應商須對其所提供資料的真實性和談判行為的合法性負責，如有作假或違紀，一經發現立即取消談判資格，并將其列入不良行為記錄名單，同時在網上進行實名通報，一至三年內禁止參加中山大學及其附屬單位的采購活動。

中山大學招投標管理中心

反應離子刻蝕（RIE）機用戶需求書
一、 組成部分
1. 由真空系統、等離子發生器、氣路系統、電氣系統、控制系統，冷卻系統、送取片機構、報警系統等組成，不含循環冷卻水、空氣壓縮機、氣瓶氣柜、氣體減壓閥。
2. 帶氣體泄漏報警系統、含氟尾氣處理系統等。
3. 帶消耗品和維修工具包。
二、 RIE性能指標
1. 組成配置
1.1基片承載臺: 不低于4inch直徑，工藝腔體無焊縫、泄漏低。水冷或氦氣冷卻。
1.2有進樣室，配備抽氣、排氣和安全互鎖功能。配置氣動的傳送機構，自動執行樣品的平穩裝卸。
1.3有自動氣壓控制器（APC）。
1.4配備進口感應耦合等離子（ICP）源，有效區域不低于4inch。
1.5有8路非腐蝕性質量流量計（MFC），量程不低于200sccm，用于監測Ar，O2，N2，CHF3，C4F8，SF6，He,CF4等氣路.
2. 真空系統
2.1渦輪分子泵（TMP），抽氣速率不低于1000 l/min，本底真空不低于1*10-6Torr，漏率<3 mT/min。樣品交換室真空泵是低噪聲干泵，抽速不低于8 l/min，本底真空可達到10-2Torr，漏率<3 mT/min。
2.2從開機到真空系統抽氣完畢可進行刻蝕耗時不高于30min
3. 等離子發生
3.1使用50歐輸出阻抗的射頻源，按設置值輸出功率。自動匹配網絡使反射功率最小化。匹配箱和功率電極間的固定射頻線避免因電纜發熱造成的工藝漂移。
3.2帶石英視窗可觀看等離子體顏色變化，擋板可開合。
3.3一個射頻發生器用于下電極的射頻偏置，另一個射頻發生器用于驅動ICP源。前者RF電源 ：13.56 MHz, 至少600 W。后者功率不低于1500W。
4. 刻蝕和沉積性能
4.1對4英寸內刻蝕不均勻性小于5%（3-sigma標準）?？涛g斷面垂直度優于88度。
4.2可進行玻璃、石英的深刻蝕以及基于分時復用的硅深刻蝕工藝（例如Bosch process）。使用SiO2做掩模時刻蝕Si，利用不同配方可控制SiO2下的過刻蝕(undercut)的大小
4.3刻蝕硅片最高速率不低于4 um/min，刻蝕Pyrex玻璃速率不低于100 nm/min, 刻蝕石英速率不低于50 nm/min，刻蝕AZ光刻膠速度不低于500 nm/min
4.4使用合適掩模時，30um寬縫下硅片刻蝕深度可達385 um(through-wafer etching)
4.5使用SiO2做Si深刻蝕掩模，選擇比大于80：1
4.6有合適的工藝利用C4F8等氣體可進行碳氟化合物（CxFy）薄膜的沉積
4.7有合適的工藝可進行Ar和O2 plasma清洗。
三、 操作和控制
3.1Windows界面操作軟件，可編輯工藝配方，顯示設備運行狀態、操作腳本等信息，顯示報警和錯誤信息的圖形化界面。
3.2可存儲至少10個工藝配方。
3.3PC機管理軟件互鎖、防止操作者的誤操作
3.4自動控制系統采用計算機及PLC控制
3.5帶17英寸液晶顯示屏